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元件参数资料
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参数目录36332
> NST848BF3T5G TRANSISTOR GP NPN 30V SOT-1123
型号:
NST848BF3T5G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANSISTOR GP NPN 30V SOT-1123
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NST848BF3T5G PDF
产品变化通告
Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装
8,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
200 @ 2mA,5V
功率 - 最大
290mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-1123
供应商设备封装
SOT-1123
包装
带卷 (TR)
查看NST848BF3T5G代理商
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